 課程名稱 |
深次微米元件與製程模擬-進階應用（實作課） |
| 課程內容 |
課程目的: 本課程旨在使用當代TCAD元件模擬器去建構並模擬三維度深次微米元件，包括深次微米HKMG MOSFET、鰭式場效應電晶體、全閘極奈米線場效應電晶體的電氣特性，如直流特性、電容特性、短通道參數；同時簡介並進行溫度效應、量子效應、製程變異、與隨機擾動之模擬實作。 課程大綱: 1. 前瞻深次微米元件傳輸模式與模擬實務概論 2. 鰭式場效應電晶體/奈米線場效應電晶體之製程模擬實作 3. 鰭式場效應電晶體/奈米線場效應電晶體之元件結構模擬實作 4. 前瞻深次微米元件之DC/AC特性模擬實作與短通道參數萃取 5. 溫度效應、量子效應、製程變異、與隨機擾動之模擬實作 |
| 先修課程 |
深次微米元件與製程模擬(實作課) |
| 上課日期 | 上課時段 | 授課老師 | 報名截止日 | 上課地點 | 報名 | 課程費用 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 20181028-20181104 | 每周六、日09:00~16:00 | 李義明 教授 | 20181028 | 交通大學電子資訊研究大樓503室 | 報名已截止 | 5000 |