課程名稱
深次微米元件與製程模擬
課程內容 課程大綱
1. TCAD/ECAD背景簡介
2. 深次微米元件與製程模式基礎原理
3. 深次微米元件與製程模擬技術實務
4. 製程模擬上機入門: 1D PN、BJT製程模擬實作
5. 製程模擬上機入門: 基本2D MOSFET製程模擬實作
6. 元件模擬上機入門: 基本2D MOSFET元件模擬實作
7. 深次微米N-/P-MOSFETs、CMOS元件DC/AC模擬實作
8. 深次微米CMOS數位暨類比電路Mixed Mode模擬實作
9. 3D MOSFETs元件模擬實作
10. HKMG MOSFETs元件模擬實作
11. MOSFET元件量子修正原理與模擬實作
12. MOSFET元件參數擾動原理與模擬實作

課程目的
講解深次微米半導體元件與製程之基礎模式與模擬TCAD軟體實作實務。本課程由深次微米半導體元件與製程之模式與電腦模擬基本原理出發,同時輔以TCAD軟體(如: Sentaurus, …等)上機實作。從製程步驟、元件特性、與指令操作出發,以淺顯的指令解說TCAD,輔以1D/2D/3D MOSFET元件範例剖析讓學員了解模擬在深次微米元件與製程之應用。
先修課程  
總筆數[ 1 ]   每頁 20 筆,第 頁 / 共 1
上課日期 上課時段 授課老師 報名截止日 上課地點 報名 課程費用
20170826-20170910 每週六日AM9:00~PM16:00 李義明教授 20170826 交通大學電子資訊研究大樓503室 報名已截止 7000
總筆數[ 1 ]   每頁 20 筆,第 頁 / 共 1