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課程類別:半導體 (執行單位 : 國立交通大學)
課程名稱 | 課程介紹 | 收費方式 |
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深次微米元件與製程模擬-進階應用(實作課)**報名已截止** | 課程目的: 本課程旨在使用當代TCAD元件模擬器去建構並模擬三維度深次微米元件,包括深次微米HKMG MOSFET、鰭式場效應電晶體、全閘極奈米線場效應電晶體的電氣特性,如直流特性、電容特性、短通道參數;同時簡介並進行溫度效應、量子效應、製程變異、與隨機擾動之模擬實作。 課程大綱: 1. 前瞻深次微米元件傳輸模式與模擬實務概論 2. 鰭式場效應電晶體/奈米線場效應電晶體之製程模擬實作 3. 鰭式場效應電晶體/奈米線場效應電晶體之元件結構模擬實作 4. 前瞻深次微米元件之DC/AC特性模擬實作與短通道參數萃取 5. 溫度效應、量子效應、製程變異、與隨機擾動之模擬實作 |
收費 * 報名截止日:2018/10/28* 開課日期:2018/10/28~2018/11/04 |